IXFR 21N100Q
40
30
30
T J = 25 O C
V GS = 9V
8V
7V
6V
25
T J = 125 O C V GS = 9V
8V
7V
6V
20
20
15
10
5V
4V
10
5
5V
4V
0
0
5
10
15
20
0
0
5
10
15
20
25
30
35
2.8
2.4
V DS - Volts
Fig.1 Output Characteristics @ T j = 25°C
V GS = 10V
2.6
2.2
V DS - Volts
Fig.2 Output Characteristics @ T j = 125°C
V GS = 10V
T J = 125 C
2.0
O
1.8
1.6
I D =21A
I D =10.5A
1.2
T J = 25 O C
1.4
0.8
0
10
20
30
1.0
25
50
75
100
125
150
25
20
I D - Amperes
Fig.3 R DS(on) vs. Drain Current
T J - Degrees C
Fig.4 Temperature Dependence of Drain
to Source Resistance
24
20
16
15
12
10
5
8
4
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
T C - Degrees C
Fig.5 Drain Current vs. Case Temperature
V GS - Volts
Fig.6 Drain Current vs Gate Source
Voltage
? 2003 IXYS All rights reserved
相关PDF资料
IXFR230N20T MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247
IXFR24N100Q3 MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
IXFR24N100 MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247
IXFR24N90P MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247
IXFR26N100P MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247
IXFR26N50Q MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
IXFR26N50 MOSFET N-CH 500V 26A ISOPLUS247
IXFR26N60Q MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247
相关代理商/技术参数
IXFR21N100Q_03 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
IXFR230N20T 功能描述:MOSFET GigaMOS Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR24N100 功能描述:MOSFET 1KV 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR24N100_08 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247
IXFR24N100Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR24N50 功能描述:MOSFET 22 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR24N50Q 功能描述:MOSFET 22 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFR24N80P 功能描述:MOSFET 14 Amps 800V 0.42 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube